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分立半导体 / BC856A
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： BC856A
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
- 库存地点： 内地
- 库存： 21000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-650 mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65 V
- RoHS：Compliant
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：100 MHz
- Manufacturer Part Number：BC856A
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Diotec Semiconductor AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
- Risk Rank：0.57
- Part Package Code：SOT-23
- 包装：切割胶带
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 子类别：其他晶体管
- 最大功率耗散：250 mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 极性：PNP
- 配置：SINGLE
- 元素配置：Single
- 功率耗散：250 mW
- 极性/通道类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：65 V
- 最大集电极电流：100 mA
- JEDEC-95代码：TO-236
- 集电极基极电压(VCBO)：-80 V
- 最大耗散功率(Abs)：0.31 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5 V
- 集电极电流-最大值(IC)：0.1 A
- 最小直流增益（hFE）：125
- 集电极-发射器电压-最大值：65 V
- 宽度：1.4 mm
- 高度：1 mm
- 长度：3 mm
- 达到SVHC：无SVHC
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