简体中文
图片经供参考，以实物为准
分立半导体 / SGP20N60HS
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： SGP20N60HS
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 分立半导体
- 封装： TO-220-3
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 28000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO220-3-1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600 V
- RoHS：Compliant
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：36 A
- Base Product Number：SGP20N
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Test Conditions：400V, 20A, 16Ohm, 15V
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：178 W
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：178 W
- 无卤素：无卤素
- 集电极发射器电压(VCEO)：600 V
- 最大集电极电流：36 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.15V @ 15V, 20A
- 连续集电极电流：36
- IGBT类型：NPT
- 闸门收费：100 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：80 A
- Td（开/关）@25°C：18ns/207ns
- 开关能量：690µJ
相关产品
