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存储器 / IS63WV1024BLL-12BLI
- 价格 起订量
- ￥ 15.84901 1+
- ￥ 14.95190 10+
- ￥ 14.10556 100+
- ￥ 13.30713 500+
- ￥ 12.55390 1000+
- 型号： IS63WV1024BLL-12BLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 48-TFBGA
- 描述： IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 1900
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.84901
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：48-TFBGA
- 引脚数：48
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：2 (1 Year)
- 终止次数：48
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 电压 - 供电 ：3V~3.6V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 电源电压：3.3V
- 端子间距：0.75mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：48
- 工作电源电压：3.3V
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.63V
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.97V
- 内存大小：1Mb 128K x 8
- 端口的数量：1
- 电源电流：45mA
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：12ns
- 地址总线宽度：17b
- 密度：1 Mb
- 待机电流-最大值：0.00005A
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：8b
- 长度：8mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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