简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / IS61WV6416DBLL-10BLI
- 价格 起订量
- ￥ 40.91423 1+
- ￥ 38.59833 10+
- ￥ 36.41352 100+
- ￥ 34.35237 500+
- ￥ 32.40790 1000+
- 型号： IS61WV6416DBLL-10BLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 48-TFBGA
- 描述： SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin Mini-FBGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 5303
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 40.91423
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：48-TFBGA
- 表面安装：YES
- 引脚数：48
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：48
- 电压 - 供电 ：2.4V~3.6V
- 端子位置：BOTTOM
- 功能数量：1
- 电源电压：3V
- 端子间距：0.75mm
- 引脚数量：48
- 资历状况：不合格
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6V
- 电源：2.5/3.3V
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.4V
- 内存大小：1Mb 64K x 16
- 端口的数量：1
- 电源电流：55mA
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：10ns
- 地址总线宽度：16b
- 密度：1 Mb
- 待机电流-最大值：0.000055A
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：16b
- 待机电压-最小值：2V
- 长度：8mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IS61WV6416DBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc- IS62WV6416BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
AS6C1016-55BIN Alliance Memory, Inc.- IS62WV6416DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- IS61LV6416-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
