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存储器 / DS1230AB-200IND
- 价格 起订量
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- 型号： DS1230AB-200IND
- 厂商： Maxim Integrated
- 类别： 存储器
- 封装： 28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
- 描述： IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
- 表面安装：NO
- 引脚数：28
- Memory Types：Non-Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tube
- 已出版：2002
- JESD-609代码：e0
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：28
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码：8542.32.00.41
- 电压 - 供电 ：4.75V~5.25V
- 端子位置：DUAL
- 功能数量：1
- 电源电压：5V
- 端子间距：2.54mm
- 频率：200GHz
- 基本部件号：DS1230AB
- 引脚数量：28
- 工作电源电压：5V
- 电源：5V
- 内存大小：256Kb 32K x 8
- 内存格式：NVSRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：8b
- 组织结构：32KX8
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：200ns
- 密度：256 kb
- 待机电流-最大值：0.005A
- 访问时间（最大）：200 ns
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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