简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / IS43DR16320E-25DBLI
- 价格 起订量
- ￥ 39.09675 1+
- ￥ 36.88373 10+
- ￥ 34.79597 100+
- ￥ 32.82639 500+
- ￥ 30.96829 1000+
- 型号： IS43DR16320E-25DBLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 84-TFBGA
- 描述： IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 89800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 39.09675
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：84-TFBGA
- 表面安装：YES
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：84
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- 电压 - 供电 ：1.7V~1.9V
- 端子位置：BOTTOM
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.8mm
- JESD-30代码：R-PBGA-B84
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.9V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7V
- 内存大小：512Mb 32M x 16
- 端口的数量：1
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 时钟频率：400MHz
- 访问时间：400ns
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：32MX16
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 记忆密度：536870912 bit
- 长度：10.5mm
- 座位高度(最大)：1.2mm
- 宽度：8mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
