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存储器 / IS43DR16640B-25DBLI
- 价格 起订量
- ￥ 66.54534 1+
- ￥ 62.77862 10+
- ￥ 59.22512 100+
- ￥ 55.87275 500+
- ￥ 52.71014 1000+
- 型号： IS43DR16640B-25DBLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 84-TFBGA
- 描述： INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640B-25DBLI - SDRAM, DDR2, 1GBIT, 1.8V, 84BGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 220
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 66.54534
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：84-TFBGA
- 引脚数：84
- Memory Types：Volatile
- Usage Level：Industrial grade
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：84
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码：8542.32.00.32
- 电压 - 供电 ：1.7V~1.9V
- 端子位置：BOTTOM
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.8mm
- 工作电源电压：1.8V
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.9V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7V
- 内存大小：1Gb 64M x 16
- 端口的数量：1
- 电源电流：240mA
- 时钟频率：400MHz
- 访问时间：400ps
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：16b
- 组织结构：64MX16
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 地址总线宽度：16b
- 密度：1 Gb
- 待机电流-最大值：0.015A
- I/O类型：COMMON
- 环境温度范围高：85°C
- 刷新周期：8192
- 顺序突发长度：48
- 交错突发长度：48
- 高度：1.2mm
- 长度：12.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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