简体中文
图片经供参考，以实物为准
存储器 / IS43DR81280B-25DBL
- 价格 起订量
- ￥ 46.29305 1+
- ￥ 43.67269 10+
- ￥ 41.20065 100+
- ￥ 38.86854 500+
- ￥ 36.66843 1000+
- 型号： IS43DR81280B-25DBL
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 60-TFBGA
- 描述： DRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
- 库存地点： 内地
- 库存： 25
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 46.29305
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：60-TFBGA
- 表面安装：YES
- 引脚数：60
- Memory Types：Volatile
- 操作温度：0°C~70°C TA
- 包装：Tray
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：60
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- HTS代码：8542.32.00.32
- 电压 - 供电 ：1.7V~1.9V
- 端子位置：BOTTOM
- 功能数量：1
- 电源电压：1.8V
- 端子间距：0.8mm
- 资历状况：不合格
- 工作电源电压：1.8V
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.9V
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.7V
- 内存大小：1Gb 128M x 8
- 端口的数量：1
- 电源电流：240mA
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 时钟频率：400MHz
- 访问时间：400ps
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：8b
- 组织结构：128MX8
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：8
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 地址总线宽度：17b
- 密度：1 Gb
- I/O类型：COMMON
- 刷新周期：8192
- 顺序突发长度：48
- 交错突发长度：48
- 长度：10.5mm
- 座位高度(最大)：1.2mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
- IS43DR81280B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVC4M16ALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
N02L6181AB28I ON Semiconductor
IS43DR86400C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc- N08L6182AB27I ON Semiconductor
