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存储器 / IS61WV51216EDBLL-10TLI
- 价格 起订量
- ￥ 82.59891 1+
- ￥ 77.92350 10+
- ￥ 73.51274 100+
- ￥ 69.35164 500+
- ￥ 65.42608 1000+
- 型号： IS61WV51216EDBLL-10TLI
- 厂商： ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别： 存储器
- 封装： 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 描述： SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
- 库存地点： 内地
- 库存： 455
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 82.59891
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 表面安装：YES
- 引脚数：44
- Memory Types：Volatile
- Usage Level：Industrial grade
- 操作温度：-40°C~85°C TA
- 包装：Tray
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：44
- 电压 - 供电 ：2.4V~3.6V
- 端子位置：DUAL
- 功能数量：1
- 电源电压：3V
- 端子间距：0.8mm
- 工作电源电压：3V
- 电源电压-最大值(Vsup)：3.6V
- 电源电压-最小值(Vsup)：2.4V
- 内存大小：8Mb 512K x 16
- 端口的数量：1
- 电源电流：50mA
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 输出特性：3-STATE
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：10ns
- 地址总线宽度：19b
- 密度：8 Mb
- I/O类型：COMMON
- 同步/异步：Asynchronous
- 字长：16b
- 待机电压-最小值：2V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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