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单MOSFET晶体管 / IRF8304MTRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 15.74153 1+
- ￥ 14.85050 10+
- ￥ 14.00991 100+
- ￥ 13.21690 500+
- ￥ 12.46877 1000+
- 型号： IRF8304MTRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric MX
- 描述： MOSFET N-CH 30V 28A MX
- 库存地点： 内地
- 库存： 9500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.74153
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric MX
- 引脚数：7
- 供应商器件包装：DIRECTFET™ MX
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Ta 170A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 100W Tc
- Turn Off Delay Time：19 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-40°C
- 功率耗散：100W
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.2mOhm @ 28A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4700pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：42nC @ 4.5V
- 上升时间：22ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：28A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：4.7nF
- 漏源电阻：3.2mOhm
- 最大rds：2.2 mΩ
- 栅源电压：1.8 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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