简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDS9400A
- 价格 起订量
- ￥ 14.78977 1+
- ￥ 13.95262 10+
- ￥ 13.16284 100+
- ￥ 12.41778 500+
- ￥ 11.71489 1000+
- 型号： FDS9400A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET SO-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.78977
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：230.4mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：11 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2002
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：130MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-30V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-3.4A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：4.5 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：130m Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：205pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.5nC @ 5V
- 上升时间：12.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：2 ns
- 连续放电电流(ID)：3.4A
- 阈值电压：-1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：-30V
- 栅源电压：-1.8 V
- 高度：1.575mm
- 长度：4.9mm
- 宽度：3.9mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDS9400A ON Semiconductor
IRF7306TRPBF Infineon Technologies- FDS9953A ON Semiconductor
NTMD4184PFR2G ON Semiconductor
