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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 - 预偏置 / DTDG14GPT100
- 价格 起订量
- ￥ 5.70626 1+
- ￥ 5.38326 10+
- ￥ 5.07855 100+
- ￥ 4.79108 500+
- ￥ 4.51989 1000+
- 型号： DTDG14GPT100
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-243AA
- 描述： TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.70626
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Number of Elements：1
- hFEMin：300
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铜
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 附加功能：BUILT-IN BIAS RESISTOR
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：60V
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：1A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：DTDG14
- 引脚数量：3
- 最大输出电流：1A
- 工作电源电压：60V
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：500mW
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：400mV
- 最大集电极电流：1A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：500nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 5mA, 500mA
- 转换频率：80MHz
- 最大击穿电压：60V
- 频率转换：80MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 连续集电极电流：1A
- 电阻-发射极基极(R2)：10 k Ω
- VCEsat-最大值：0.4 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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