简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / SBC847CWT3G
- 价格 起订量
- ￥ 1.56297 1+
- ￥ 1.47450 10+
- ￥ 1.39104 100+
- ￥ 1.31230 500+
- ￥ 1.23802 1000+
- 型号： SBC847CWT3G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： Trans GP NPN 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 81000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.56297
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：150mW
- 频率：100MHz
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 功率耗散：150mW
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：45V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：420 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
SBC847CWT3G ON Semiconductor
UMD22NTR ROHM Semiconductor
BC847AT,115 NXP USA Inc.- PDTC144WE,115 NXP USA Inc.
- PDTC144TE,115 NXP USA Inc.
