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BJT 晶体管阵列 / NSM4002MR6T1G
- 价格 起订量
- ￥ 3.30941 1+
- ￥ 3.12208 10+
- ￥ 2.94536 100+
- ￥ 2.77864 500+
- ￥ 2.62136 1000+
- 型号： NSM4002MR6T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： SC-74, SOT-457
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NSM4002MR6T1GBipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 500 W, 500 mA, 40, SC-74
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.30941
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-74, SOT-457
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：200mA 500mA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：500mW
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 增益带宽积：100MHz
- 晶体管类型：2 NPN (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：45V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 10mA 1V / 250 @ 100mA 1V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 45V
- 最大击穿电压：45V
- 频率转换：300MHz 100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 连续集电极电流：500mA
- 高度：1mm
- 长度：3.1mm
- 宽度：1.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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