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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / RN2702TE85LF
- 价格 起订量
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- 型号： RN2702TE85LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- 描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
- 库存地点： 内地
- 库存： 47
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- hFEMin：50
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：200mW
- 极性：PNP
- 元素配置：Dual
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管类型：2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：50 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 250μA, 5mA
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：200MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：-10V
- 电阻基(R1)：10k Ω
- 连续集电极电流：-100mA
- 电阻-发射极基极(R2)：10k Ω
- RoHS状态：符合RoHS标准
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