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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / DDA124EUQ-7-F
- 价格 起订量
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- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： DDA124EUQ-7-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K
- 库存地点： 内地
- 库存： 24
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 供应商器件包装：SOT-363
- 厂商：Diodes Incorporated
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- RoHS：Details
- 系列：Automotive, AEC-Q101, DDA (XXXX) U
- 包装：MouseReel
- 子类别：Transistors
- 功率 - 最大：200mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 晶体管类型：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：56 @ 5mA, 5V
- 最大集极截止电流：500nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 500μA, 10mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 频率转换：250MHz
- 电阻基(R1)：22kOhms
- 电阻-发射极基极(R2)：22kOhms
- 产品类别：Bipolar Transistors - Pre-Biased
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