简体中文
图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / NHUMB1F
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NHUMB1F
- 厂商： Nexperia USA Inc.
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 供应商器件包装：6-TSSOP
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Qualification：AEC-Q101
- Emitter- Base Voltage VEBO：10 V
- Pd - Power Dissipation：235 mW
- Transistor Polarity：PNP
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：- 60
- Collector-Emitter Saturation Voltage：100 mV
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：150 MHz
- Part # Aliases：934661424135
- Manufacturer：Nexperia
- Brand：Nexperia
- DC Current Gain hFE Max：10
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：80 V
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：MouseReel
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Dual
- 功率 - 最大：235mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 10mA, 5V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：100mV @ 500μA, 10mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80V
- 频率转换：150MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 电阻基(R1)：22kOhms
- 电阻-发射极基极(R2)：22kOhms
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
相关产品
