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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / PBLS2002S,115
- 价格 起订量
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- 型号： PBLS2002S,115
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 安装类型：表面贴装
- 晶体管元件材料：SILICON
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Number of Elements：2
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA 3A
- 已出版：2009
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- HTS代码：8541.21.00.95
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：PBLS2002
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- 功率 - 最大：1.5W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN和PNP
- 晶体管类型：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 10mA 5V / 150 @ 2A 2V
- 最大集极截止电流：1μA 100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V 20V
- 转换频率：100MHz
- 频率转换：100MHz
- 最大耗散功率(Abs)：1.5W
- 电阻基(R1)：4.7k Ω
- 电阻-发射极基极(R2)：4.7k Ω
- 关断时间-最大值（toff)：205ns
- 接通时间-最大值(ton)：41ns
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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