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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / NSBC114TDXV6T1
- 价格 起订量
- ￥ 0.72848 1+
- ￥ 0.68724 10+
- ￥ 0.64834 100+
- ￥ 0.61165 500+
- ￥ 0.57702 1000+
- 型号： NSBC114TDXV6T1
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563
- 描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
- 库存地点： 内地
- 库存： 273632
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.72848
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- hFEMin：160
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 附加功能：内置偏置电阻
- 电压 - 额定直流：50V
- 最大功率耗散：500mW
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-F6
- 资历状况：不合格
- 极性：NPN
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：357mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 集电极发射器电压(VCEO)：250mV
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）：160
- 连续集电极电流：100mA
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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