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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / PEMF21,115
- 价格 起订量
- ￥ 2.93930 1+
- ￥ 2.77292 10+
- ￥ 2.61596 100+
- ￥ 2.46789 500+
- ￥ 2.32820 1000+
- 型号： PEMF21,115
- 厂商： Nexperia USA Inc.
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
- 库存地点： 内地
- 库存： 134784
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.93930
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA 500mA
- Number of Elements：2
- hFEMin：200
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 附加功能：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- 最大功率耗散：300mW
- 终端形式：FLAT
- 基本部件号：PEMF21
- 引脚数量：6
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：200mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 5mA 5V / 200 @ 10mA 2V
- 最大集极截止电流：1μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V 12V
- 最高频率：280MHz
- 转换频率：280MHz
- 最大击穿电压：12V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 电阻基(R1)：10k Ω
- 连续集电极电流：-500mA
- 电阻-发射极基极(R2)：10k Ω
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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