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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / UMD6NTR
- 价格 起订量
- ￥ 2.93796 1+
- ￥ 2.77166 10+
- ￥ 2.61478 100+
- ￥ 2.46677 500+
- ￥ 2.32714 1000+
- 型号： UMD6NTR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.93796
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- hFEMin：100
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铜
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 附加功能：BUILT-IN BIAS RESISTOR
- HTS代码：8541.21.00.75
- 最大功率耗散：150mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：*MD6
- 引脚数量：6
- 最大输出电流：100mA
- 工作电源电压：50V
- 极性：NPN, PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：150mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 250μA, 5mA
- 转换频率：250MHz
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：250MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 电阻基(R1)：4.7k Ω
- VCEsat-最大值：0.3 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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