图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / IPD50R2K0CEBTMA1
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IPD50R2K0CEBTMA1
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-252-3
- 描述: MOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:6 Weeks
- 底架:表面贴装
- 包装/外壳:TO-252-3
- 引脚数:3
- 质量:3.949996g
- Turn Off Delay Time:21 ns
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2013
- 无铅代码:no
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- ECCN 代码:EAR99
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- 最大功率耗散:22W
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 接通延迟时间:6 ns
- 上升时间:5ns
- 漏源电压 (Vdss):500V
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 下降时间(典型值):38 ns
- 连续放电电流(ID):2.4A
- 栅极至源极电压(Vgs):30V
- 输入电容:124pF
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻:2Ohm
- 高度:2.41mm
- 长度:6.73mm
- 宽度:6.22mm
- RoHS状态:符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IPD50R2K0CEBTMA1 Infineon Technologies
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies
IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies
IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies

