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单MOSFET晶体管 / SFT1341-E
- 价格 起订量
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- 型号： SFT1341-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： MOSFET P-CH 40V 10A TP
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Power Dissipation (Max)：1W Ta 15W Tc
- Turn Off Delay Time：81 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1W
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：112m Ω @ 5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：650pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8nC @ 4.5V
- 上升时间：50ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：80 ns
- 连续放电电流(ID)：10A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏源击穿电压：-40V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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