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单MOSFET晶体管 / EPC2016
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： EPC2016
- 厂商： EPC
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： Die
- 描述： TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：Die
- 供应商器件包装：Die
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 3mA
- 操作温度：-40°C~125°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：eGaN®
- 已出版：2012
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：125°C
- 最小工作温度：-40°C
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：16mOhm @ 11A, 5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：520pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.2nC @ 5V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：+6V, -5V
- 连续放电电流(ID)：11A
- 输入电容：520pF
- 最大rds：16 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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