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单MOSFET晶体管 / BSD816SNL6327HTSA1
- 价格 起订量
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- 型号： BSD816SNL6327HTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 2.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Turn Off Delay Time：11 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2013
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：6
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：5.3 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：160m Ω @ 1.4A, 2.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 3.7μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：180pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.6nC @ 2.5V
- 上升时间：9ns
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：2.2 ns
- 连续放电电流(ID)：1.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大双电源电压：20V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：10 pF
- RoHS状态：符合RoHS标准
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