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单MOSFET晶体管 / BSR302NL6327HTSA1
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
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- ¥ 0 1000+
- 型号: BSR302NL6327HTSA1
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述: Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 143
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:12 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:3.7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V 10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):500mW Ta
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:OptiMOS™
- 已出版:2010
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 附加功能:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- HTS代码:8541.21.00.95
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 引脚数量:3
- 资历状况:不合格
- 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式:增强型MOSFET
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:23m Ω @ 3.7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:750pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:6.6nC @ 5V
- 上升时间:3.2ns
- Vgs(最大值):±20V
- 连续放电电流(ID):3.7A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 最大双电源电压:30V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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