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单MOSFET晶体管 / IPB60R299CPATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPB60R299CPATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-263
- 库存地点： 内地
- 库存： 180
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：96W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2007
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 引脚数量：4
- 功率耗散：96W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：299m Ω @ 6.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1100pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：11A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：600V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：含铅
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