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单MOSFET晶体管 / CPH6442-TL-E
- 价格 起订量
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- 型号： CPH6442-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： MOSFET SWITCHING DEVICE
- 库存地点： 内地
- 库存： 18000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- 表面安装：YES
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：6
- Turn Off Delay Time：80 ns
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Ta
- 已出版：2012
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：150°C TJ
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：43MOhm
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 引脚数量：6
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.6W
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：43m Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1040pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 10V
- 上升时间：18ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：35 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏源击穿电压：60V
- 宽度：1.6mm
- 长度：2.9mm
- 高度：900μm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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