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单MOSFET晶体管 / MCH6321-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 0.77915 1+
- ￥ 0.73504 10+
- ￥ 0.69344 100+
- ￥ 0.65419 500+
- ￥ 0.61716 1000+
- 型号： MCH6321-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin MCPH T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 74991
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.77915
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 引脚数：6
- 质量：7.512624mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：40 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 端子位置：DUAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.5W
- 接通延迟时间：8.1 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：83m Ω @ 2A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：375pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.6nC @ 4.5V
- 上升时间：31ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：39 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.083Ohm
- 漏源击穿电压：-20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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