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单MOSFET晶体管 / IRFH4201TRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFH4201TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 19605
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：49A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.5W Ta 156W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2013
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.5W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：20 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：0.95m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6100pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：94nC @ 10V
- 上升时间：43ns
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：19 ns
- 连续放电电流(ID)：49A
- 阈值电压：1.6V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400A
- 雪崩能量等级（Eas）：478 mJ
- 高度：900μm
- 长度：6mm
- 宽度：5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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