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单MOSFET晶体管 / AUIRFR8401
- 价格 起订量
- ￥ 16.42044 1+
- ￥ 15.49098 10+
- ￥ 14.61413 100+
- ￥ 13.78691 500+
- ￥ 13.00652 1000+
- 型号： AUIRFR8401
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 35000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.42044
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：D-Pak
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：79W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2009
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：IRFR8401
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：79W
- 接通延迟时间：7.9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.25mOhm @ 60A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2200pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：63nC @ 10V
- 上升时间：34ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：24 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 阈值电压：3.9V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 输入电容：2.2nF
- 漏源电阻：4.25mOhm
- 最大rds：4.25 mΩ
- 栅源电压：2.2 V
- 高度：2.39mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：6.22mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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