简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRFH7185TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IRFH7185TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 16423
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：14 ns
- Power Dissipation (Max)：3.6W Ta 160W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Ta
- 已出版：2008
- 系列：FASTIRFET™, HEXFET®
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 基本部件号：IRFH7185
- JESD-30代码：R-PDSO-N5
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.6W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：6.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.2m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2320pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：54nC @ 10V
- 上升时间：9.9ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：3.9 ns
- 连续放电电流(ID)：19A
- 阈值电压：3.6V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0052Ohm
- 漏源击穿电压：100V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：260A
- 雪崩能量等级（Eas）：360 mJ
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 宽度：5.15mm
- 长度：6.15mm
- 高度：950μm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRFH7185TRPBF Infineon Technologies
IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies
AUIRF7647S2TR Infineon Technologies
FDMC86102 ON Semiconductor
STD15NF10T4 STMicroelectronics
