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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDME430NT
- 价格 起订量
- ￥ 2.17499 1+
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- ￥ 1.82616 500+
- ￥ 1.72279 1000+
- 型号： FDME430NT
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-PowerUFDFN
- 描述： MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 33954
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.17499
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-PowerUFDFN
- 引脚数：6
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.1W Ta
- Turn Off Delay Time：19 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：S-PDSO-N3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：40m Ω @ 6A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：760pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9nC @ 4.5V
- 上升时间：3ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：3.3 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.04Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：75 pF
- 高度：500μm
- 长度：1.6mm
- 宽度：1.6mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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