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单MOSFET晶体管 / IPP60R1K4C6XKSA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPP60R1K4C6XKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 299
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：28.4W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.4 Ω @ 1.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 90μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：200pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.1nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：3.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大双电源电压：600V
- 漏源击穿电压：650V
- 高度：15.95mm
- 长度：10.36mm
- 宽度：4.57mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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