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单MOSFET晶体管 / IPU50R3K0CEBKMA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPU50R3K0CEBKMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 234
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Surface Mount, Through Hole
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：13V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：18W Tc
- Turn Off Delay Time：23 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™ CE
- 已出版：2013
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：3
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：7.3 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3 Ω @ 400mA, 13V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 30μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：84pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.3nC @ 10V
- 上升时间：5.8ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：49 ns
- 连续放电电流(ID)：1.7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：500V
- 漏极-源极导通最大电阻：3Ohm
- 漏源击穿电压：550V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：4.1A
- 雪崩能量等级（Eas）：18 mJ
- 高度：6.22mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：2.41mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：含铅
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