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单MOSFET晶体管 / SPD07N20GBTMA1
- 价格 起订量
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- 型号： SPD07N20GBTMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 143
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：40W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：400m Ω @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 无卤素：不含卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：530pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：31.5nC @ 10V
- 上升时间：40ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：30 ns
- 连续放电电流(ID)：7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：200V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.4Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：28A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：含铅
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