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单MOSFET晶体管 / SFT1350-H
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： SFT1350-H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： MOSFET P-CH 40V 19A TP
- 库存地点： 内地
- 库存： 147
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1W Ta 23W Tc
- Turn Off Delay Time：52 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 引脚数量：3
- 功率耗散：1W
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：59m Ω @ 9.5A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：590pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 10V
- 上升时间：40ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：44 ns
- 连续放电电流(ID)：19A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-40V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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