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单MOSFET晶体管 / NDBA180N10BT4H
- 价格 起订量
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- 型号： NDBA180N10BT4H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 68456
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：180A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V 15V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：200W Tc
- Turn Off Delay Time：185 ns
- 操作温度：175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：超低电阻
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：95 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.8m Ω @ 50A, 15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6950pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：95nC @ 10V
- 上升时间：320ns
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：130 ns
- 连续放电电流(ID)：180A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：100A
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：600A
- DS 击穿电压-最小值：100V
- 雪崩能量等级（Eas）：451 mJ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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