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单MOSFET晶体管 / BUK9880-55,135
- 价格 起订量
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- 型号： BUK9880-55,135
- 厂商： Nexperia USA Inc.
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：73
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：8.3W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：80m Ω @ 5A, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：650pF @ 25V
- 上升时间：30ns
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：30 ns
- 连续放电电流(ID)：7.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.08Ohm
- 漏源击穿电压：55V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：40A
- 雪崩能量等级（Eas）：30 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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