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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / 5HN01M-TL-H
- 价格 起订量
- ￥ 3.56749 1+
- ￥ 3.36556 10+
- ￥ 3.17505 100+
- ￥ 2.99533 500+
- ￥ 2.82579 1000+
- 型号： 5HN01M-TL-H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
- 库存地点： 内地
- 库存： 42000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.56749
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Power Dissipation (Max)：150mW Ta
- Turn Off Delay Time：105 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5 Ω @ 50mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6.2pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.4nC @ 10V
- 上升时间：11ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：75 ns
- 连续放电电流(ID)：100mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：50V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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