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单MOSFET晶体管 / IRFHM830DTRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFHM830DTRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-VQFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 1530
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-VQFN Exposed Pad
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Ta 40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 37W Tc
- Turn Off Delay Time：9.1 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：7.1MOhm
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：9.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.3m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1797pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：27nC @ 10V
- 上升时间：20ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：6.7 ns
- 连续放电电流(ID)：20A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：40A
- 漏源击穿电压：30V
- 栅源电压：1.8 V
- 高度：990.6μm
- 长度：3.2766mm
- 宽度：3.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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