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单MOSFET晶体管 / ECH8419-TL-H
- 价格 起订量
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- 型号： ECH8419-TL-H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET N-CH 35V 9A ECH8
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 表面安装：YES
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：66 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 引脚数量：8
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：13 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：17m Ω @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：960pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 上升时间：26ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：31 ns
- 连续放电电流(ID)：9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：9A
- 漏源击穿电压：35V
- 高度：900μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：2.3mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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