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单MOSFET晶体管 / FDPF7N50
- 价格 起订量
- ￥ 7.56827 1+
- ￥ 7.13987 10+
- ￥ 6.73573 100+
- ￥ 6.35446 500+
- ￥ 5.99478 1000+
- 型号： FDPF7N50
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
- 库存地点： 内地
- 库存： 7513
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.56827
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 质量：2.27g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：39W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：UniFET™
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：31.3W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：900m Ω @ 3.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：940pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16.6nC @ 10V
- 上升时间：55ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：35 ns
- 连续放电电流(ID)：7A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏源击穿电压：500V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20A
- RoHS状态：符合RoHS标准
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