简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDB8442
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： FDB8442
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 8477
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：2
- 质量：1.31247g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Ta 80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：254W Tc
- Turn Off Delay Time：57 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2011
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- 电压 - 额定直流：40V
- 额定电流：80A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：254W
- 接通延迟时间：19.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.9m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：12200pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：235nC @ 10V
- 上升时间：19.3ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：17.2 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 阈值电压：2.9V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 双电源电压：40V
- 栅源电压：2.9 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
