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单MOSFET晶体管 / IRFS3607PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFS3607PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.34 Milliohms; ID 80A; D2Pak; PD 140W; VGS /-2
- 库存地点： 内地
- 库存： 210
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：140W Tc
- Turn Off Delay Time：43 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2008
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 元素配置：Single
- 功率耗散：140W
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9m Ω @ 46A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3070pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：84nC @ 10V
- 上升时间：110ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：96 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：75V
- 双电源电压：75V
- 恢复时间：50 ns
- 栅源电压：4 V
- 高度：4.826mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：9.65mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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