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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDZ294N
- 价格 起订量
- ￥ 10.05542 1+
- ￥ 9.48625 10+
- ￥ 8.94929 100+
- ￥ 8.44273 500+
- ￥ 7.96484 1000+
- 型号： FDZ294N
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 9-VFBGA
- 描述： MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 57184
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.05542
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：9-VFBGA
- 引脚数：9
- 供应商器件包装：9-BGA (1.5x1.6)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.7W Ta
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2005
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：20V
- 额定电流：6A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.7W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：23mOhm @ 6A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：670pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 4.5V
- 上升时间：5ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：5 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 输入电容：670pF
- 漏源电阻：18mOhm
- 最大rds：23 mΩ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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