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单MOSFET晶体管 / NTHD2110TT1G
- 价格 起订量
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- 型号： NTHD2110TT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 519
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Power Dissipation (Max)：1.1W Ta
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：850mV @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：C 弯管
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：40m Ω @ 6.4A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1072pF @ 6V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- Vgs（最大值）：±8V
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.04Ohm
- DS 击穿电压-最小值：12V
- 达到SVHC：unknown
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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