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单MOSFET晶体管 / NTD4906N-35G
- 价格 起订量
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- 型号： NTD4906N-35G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 描述： MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm
- 库存地点： 内地
- 库存： 676661
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.3A Ta 54A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.38W Ta 37.5W Tc
- Turn Off Delay Time：22 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2007
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2.6W
- 接通延迟时间：13 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.5m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1932pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：24nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：14A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 高度：2.38mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：6.35mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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