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单MOSFET晶体管 / IRF6718L2TR1PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF6718L2TR1PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric L6
- 描述： MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric L6
- 引脚数：13
- 供应商器件包装：DIRECTFET L6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：61A Ta 270A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：4.3W Ta 83W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- 电阻：500kOhm
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 元素配置：Single
- 功率耗散：4.3W
- 接通延迟时间：67 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：0.7mOhm @ 61A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6500pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：96nC @ 4.5V
- 上升时间：140ns
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：53 ns
- 连续放电电流(ID)：61A
- 阈值电压：1.9V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：25V
- 双电源电压：25V
- 输入电容：6.5nF
- 恢复时间：59 ns
- 漏源电阻：700μOhm
- 最大rds：700 μΩ
- 栅源电压：1.9 V
- 高度：508μm
- 长度：9.144mm
- 宽度：7.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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