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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRF8714PBF
- 价格 起订量
- ￥ 6.15419 1+
- ￥ 5.80584 10+
- ￥ 5.47720 100+
- ￥ 5.16717 500+
- ￥ 4.87469 1000+
- 型号： IRF8714PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 475
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.15419
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：11 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：8.7MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.7m Ω @ 14A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1020pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 4.5V
- 上升时间：9.9ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5 ns
- 连续放电电流(ID)：14A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：65 mJ
- 恢复时间：21 ns
- 栅源电压：1.8 V
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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